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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19R0UPEX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@10V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPE,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPE,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19XP,115 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19XP,115 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:43.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2305U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2305U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2305U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:727pF@20V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2005UFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2005UFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2005UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@10V

    连续漏极电流:89A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19XP,115 起订2835个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19XP,115 起订2835个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":81000,"22+":122500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€2.97W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3415A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2305UX-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订22个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订22个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€2.97W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:43.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XPR 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XPR 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV50XPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€4.63W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UXQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UXQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2305UXQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7423 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7423 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7423

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5626pF@10V

    连续漏极电流:28A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2305UVT-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2305UVT-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2305UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:727pF@20V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN52XPX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN52XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UWQ-7 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UWQ-7 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:627pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-13 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-13 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2305UX-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441BT1G 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441BT1G 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":750,"09+":18000,"10+":30000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441BT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XPR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV50XPR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV50XPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€4.63W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPE,115 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPE,115 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:627pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订90个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订90个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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