品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6968DCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6968SDCA RVG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UDA-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@16V
功率:310mW
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UDJ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:27.6pF@16V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
输入电容:500pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:25A
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
输入电容:1220pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTND31015NZTAG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:125mW
连续漏极电流:200mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:12.3pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:25A
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
输入电容:1220pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UDJ-7A
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:21.5pF@15V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:520mA
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB28UN,115
连续漏极电流:4.6A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37mΩ@4.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:510mW
输入电容:265pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A€1.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:198mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
功率:740mW€1.25W
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3154NT1G
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:150pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3170NZT5G
功率:125mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:150pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7904BDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@7.1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:17.8W
输入电容:860pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:25A
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
输入电容:1220pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2991UDA-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@16V
功率:310mW
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTND31015NZTAG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:125mW
连续漏极电流:200mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:12.3pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UDJ-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
输入电容:27.6pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3154NT2G
连续漏极电流:540mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
类型:2N沟道(双)
输入电容:150pF@16V
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:25A
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
输入电容:1220pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1034CX-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
功率:220mW
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:610mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A€1.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:198mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
功率:740mW€1.25W
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1034CX-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
类型:2N沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:610mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:25A
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
输入电容:1220pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3154NT1G
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存: