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    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 20V
    类型: 2N沟道(双)
    阈值电压: 1V@250µA
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6968DCA RVG 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6968DCA RVG 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6968DCA RVG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6968SDCA RVG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6968SDCA RVG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6968SDCA RVG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.04W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDA-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDA-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UDA-7B

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.5pF@16V

    功率:310mW

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UDJ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UDJ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UDJ-7

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:27.6pF@16V

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3

    导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2N沟道(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    输入电容:500pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:25A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    输入电容:1220pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    功率:125mW

    连续漏极电流:200mA

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:12.3pF@15V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:25A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    输入电容:1220pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7A 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7A 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UDJ-7A

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:21.5pF@15V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:520mA

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB28UN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB28UN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB28UN,115

    连续漏极电流:4.6A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:37mΩ@4.6A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    功率:510mW

    输入电容:265pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.3A€1.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:198mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:740mW€1.25W

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT1G

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG1024NZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:150pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3170NZT5G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3170NZT5G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3170NZT5G

    功率:125mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:12.5pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG1024NZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:150pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7904BDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7904BDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7904BDN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:30mΩ@7.1A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    功率:17.8W

    输入电容:860pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:25A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    输入电容:1220pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDA-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDA-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UDA-7B

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.5pF@16V

    功率:310mW

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    功率:125mW

    连续漏极电流:200mA

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:12.3pF@15V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UDJ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UDJ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UDJ-7

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:27.6pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT2G

    连续漏极电流:540mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:150pF@16V

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:25A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    输入电容:1220pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1034CX-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:220mW

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:610mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.3A€1.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:198mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:740mW€1.25W

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1034CX-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:610mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:25A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    输入电容:1220pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订75个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3154NT1G 起订75个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3154NT1G

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    包装清单:商品主体 * 1

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