采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2012SN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：178.5pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.913nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.913nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.913nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25481F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：189pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25480F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@400mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
