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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL214NL6327HTSA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL214NL6327HTSA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":173000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL214NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD816SNH6327XTSA1 起订8334个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD816SNH6327XTSA1 起订8334个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6000,"15+":1695}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD816SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@3.7µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订17个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订28个装
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订28个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.35V@2.5µA

    栅极电荷:0.281nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.5pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1190mΩ@100mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2012SN-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2012SN-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2012SN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178.5pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN302P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:882pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104LP-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN342P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2741}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN308P 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN308P 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:341pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订37个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25481F4 起订37个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25481F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:0.913nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:189pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订6083个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订6083个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235CH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235CH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD235CH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@1.6µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:47pF@10V

    连续漏极电流:950mA€530mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:350mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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