采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3130NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：935pF@16V
连续漏极电流：4.23A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1034CZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3954，"11+"：2950，"12+"：119518，"13+"：750000，"18+"：3000，"19+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：28334，"14+"：39000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A39PZCTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19592，"23+"：11022}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3130NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：935pF@16V
连续漏极电流：4.23A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1023PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：142mΩ@2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3130NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：935pF@16V
连续漏极电流：4.23A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1034CZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1034CZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1034CZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2230U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
