品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
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类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
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输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
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连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@170µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:P沟道
导通电阻:1.8Ω@360mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1181,"22+":65831,"23+":114000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: