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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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