采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU18P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@80V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU18P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@80V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU18P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@80V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU18P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@80V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU18P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@80V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU18P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@80V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
