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    阈值电压: 4V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:2100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.15A

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:730mW

    栅极电荷:5nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF-BE3

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:390pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    功率:2.5W€42W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:5.6A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101DC

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.2W€125W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:14.5A€60A

    输入电容:3135pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G 起订129个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G 起订129个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6B05NT1G

    栅极电荷:44nC@10V

    输入电容:3100pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.3W€138W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:16A€104A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3992 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3992 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3992

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    连续漏极电流:4.5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8090 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8090 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8090

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    输入电容:1800pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    功率:625mW

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:600mA

    漏源电压:100V

    输入电容:141pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:424pF@50V

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    漏源电压:100V

    功率:2W

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8602 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8602 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8602

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:350mΩ@1.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:70pF@50V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:100V

    功率:690mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B14NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B14NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":41268}

    规格型号(MPN):NTMFS6B14NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:10A€50A

    输入电容:1300pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160

    输入电容:1290pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    类型:N沟道

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:9A€43A

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1470pF@50V

    功率:5W€62.5W

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8601

    输入电容:210pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@2.7A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:1.6W

    栅极电荷:5nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    输入电容:632pF@50V

    功率:3W

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC10A07T8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC10A07T8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1A€800mA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:138pF@60V€141pF@50V

    漏源电压:100V

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5210STRLPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5210STRLPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:230nC@10V

    功率:3.1W€170W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:2780pF@25V

    连续漏极电流:38A

    导通电阻:60mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P10TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5P10TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5P10TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.05Ω@1.8A,10V

    栅极电荷:8.2nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:3.6A

    输入电容:250pF@25V

    功率:2.5W€25W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5210STRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5210STRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    连续漏极电流:38A

    导通电阻:60mΩ@38A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":11880,"23+":10500}

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    栅极电荷:65nC@10V

    连续漏极电流:17A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    类型:N沟道

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:4500pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17GQTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17GQTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17GQTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:424pF@50V

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    漏源电压:100V

    功率:2W

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:540mΩ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    栅极电荷:8.3nC@10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    连续漏极电流:6.6A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    栅极电荷:27nC@10V

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    类型:P-Channel

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:350pF@25V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7A€20A

    输入电容:965pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2.3W€41W

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3

    输入电容:180pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    连续漏极电流:1.5A

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18KTC 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18KTC 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A18KTC

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    功率:2.17W

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    栅极电荷:26.9nC@10V

    输入电容:1055pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    输入电容:632pF@50V

    功率:3W

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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