品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
输入电容:900pF@50V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:27.8A
类型:N沟道
栅极电荷:29.5nC@10V
功率:5W€35.7W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190ADY-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
输入电容:1970pF@50V
连续漏极电流:18.4A
功率:3W€6W
栅极电荷:67nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
栅极电荷:3.61nC@10V
功率:14.9W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:2.8W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
类型:N沟道
功率:10.42W
栅极电荷:3.77nC@10V
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
连续漏极电流:5.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7296
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
导通电阻:66mΩ@5A,10V
功率:20.8W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4190ADY-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
输入电容:1970pF@50V
连续漏极电流:18.4A
漏源电压:2.8V
功率:3W€6W
栅极电荷:67nC@10V
导通电阻:8.8mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:2.8W
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
栅极电荷:3.61nC@10V
功率:14.9W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:2.8W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
类型:N沟道
功率:10.42W
栅极电荷:3.77nC@10V
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:2.8W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
类型:N沟道
功率:10.42W
栅极电荷:3.77nC@10V
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
连续漏极电流:5.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7296
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:3.1W€20.8W
导通电阻:66mΩ@5A,10V
连续漏极电流:5A€12.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.7A€20A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:228pF@50V
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:4.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-BE3
连续漏极电流:1.6A€2.3A
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
输入电容:190pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.7A€20A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:228pF@50V
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:4.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.7A€20A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:228pF@50V
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:4.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-TP
功率:350mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
导通电阻:6Ω@170mA,10V
输入电容:60pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
输入电容:900pF@50V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23mΩ
功率:2.5W€5.7W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
栅极电荷:29.5nC@10V
漏源电压:2.8V
连续漏极电流:11.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
类型:N沟道
功率:10.42W
栅极电荷:3.77nC@10V
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
连续漏极电流:5.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
栅极电荷:60nC@10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:5.4W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
输入电容:900pF@50V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€5.7W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:29.5nC@10V
导通电阻:23mΩ@15A,10V
连续漏极电流:11.1A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
栅极电荷:3.61nC@10V
功率:14.9W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@50V
连续漏极电流:27.5A
类型:N沟道
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:27.8A
类型:N-Channel
导通电阻:23mΩ
漏源电压:2.8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@50V
连续漏极电流:4.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@50V
连续漏极电流:11.1A
类型:N-Channel
导通电阻:23mΩ
漏源电压:2.8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N-Channel
导通电阻:8.7mΩ
漏源电压:2.8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: