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    当前匹配商品:60+
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    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:11A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:11A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:12A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6484 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6484 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6484

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5000,"22+":357}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:11A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5434,"23+":3295,"24+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:12A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:11A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订494个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订494个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5434,"23+":3295,"24+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:12A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS40DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:12A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6484 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6484 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6484

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0804NLSATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:12A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5000,"22+":357}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:11A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5622}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:11A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:11A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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