采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30000，"23+"：14870，"24+"：3831，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB70N10YB-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30000，"23+"：14870，"24+"：3831，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
