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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 8.3nC@10V
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRLPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRLPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LVT-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LVT-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.67W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.87A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LVT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LVT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.67W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.87A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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