采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10855}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT760EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€6.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@80V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@800mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2125230}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT760EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€6.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@80V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@800mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
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输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
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输入电容：163pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：163pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT760EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€6.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@80V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@800mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT760EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€6.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@80V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@800mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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