采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4296
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@50V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@13.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2305pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOH3106
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2305pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：23400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2305pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ05P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1051pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4290A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4525pF@50V
连续漏极电流：15.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@15.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ12N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4482
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：23400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4482
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ05P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1051pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4482
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4482
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
