采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86180
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：54nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：2.3V@36µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7292
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€28W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：9A€23A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR878BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@50V
连续漏极电流：12A€42.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
连续漏极电流：10.7A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：11A€58A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR846DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2870pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@50V
连续漏极电流：12.5A€45.3A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：27.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4870pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86104
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@50V
连续漏极电流：7A€16A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0805LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
