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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS590DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€17.9W€2.6W€23.1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A€4A€2.3A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS590DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€17.9W€2.6W€23.1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A€4A€2.3A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4590DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€3.4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：57mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：360pF@50V
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类型：N和P沟道
导通电阻：57mΩ@2A，10V
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功率：2.5W€17.9W€2.6W€23.1W
阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：2.7A€4A€2.3A€4A
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类型：N和P沟道
导通电阻：57mΩ@2A，10V
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导通电阻：57mΩ@2A，10V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：57mΩ@2A，10V
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