品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":975}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPS02N60C3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.9V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
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栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STU11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":975}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPS02N60C3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.9V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":975}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPS02N60C3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.9V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
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连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.1A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
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输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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