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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1826
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1537
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1212
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1826
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1212
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1537
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
