品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3LN80K5
输入电容:102pF@100V
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
栅极电荷:2.63nC@10V
阈值电压:5V@100µA
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL2N80K5
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:95pF@100V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:5V@100µA
导通电阻:4.9Ω@1A,10V
漏源电压:800V
功率:33W
栅极电荷:3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N80K5
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:5V@100µA
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
输入电容:360pF@100V
栅极电荷:13.4nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1705
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N80K5
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:5V@100µA
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
输入电容:360pF@100V
栅极电荷:13.4nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6N80K5
输入电容:255pF@100V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:7.5nC@10V
阈值电压:5V@100µA
导通电阻:1.6Ω@2A,10V
功率:85W
漏源电压:800V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:2.63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1431
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:18+
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:122pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.6Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1530pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@12A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.9Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: