品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":999,"19+":13500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R2K8CEAKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10,"20+":4940,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
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包装方式:管件
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
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输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10,"20+":4940,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":999,"19+":13500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R2K8CEAKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10,"20+":4940,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF7LN80K5
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:25W
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:5V@100µA
输入电容:270pF@100V
包装方式:管件
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
阈值电压:3.9V@120µA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:42W
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:290pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":999,"19+":13500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R2K8CEAKMA1
阈值电压:3.9V@120µA
连续漏极电流:1.9A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:42W
包装方式:管件
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:290pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: