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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
漏源电压：50V
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
ECCN：EAR99
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-13-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
功率：300mW
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1618
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
漏源电压：50V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
漏源电压：50V
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138TA
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
类型：N-Channel
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
漏源电压：50V
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：N沟道
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
功率：300mW
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYC002N05T316
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：0.2A
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
类型：N-Channel
漏源电压：50V
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138Q-7-F
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
功率：300mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：0.2A
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
类型：N-Channel
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
