品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:637pF@30V
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类型:P沟道
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
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输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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功率:2W
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
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类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
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连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.7nC@10V
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连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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栅极电荷:17.7nC@10V
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连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
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输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@30V
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类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: