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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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连续漏极电流：15A
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导通电阻：15mΩ@8A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
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功率：2.1W
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导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
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输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
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输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
