采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3366pF@15V
连续漏极电流：11A€67A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：250pF@24V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.1W€31W
栅极电荷：26nC@10V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
输入电容：1230pF@15V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4003NT3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1460pF@15V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696
功率：2.4W€25W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
栅极电荷：22nC@10V
连续漏极电流：12A€20A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：520pF@15V
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3664S
连续漏极电流：13A€25A
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1765pF@15V
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：830mW
栅极电荷：15nC@4.5V
连续漏极电流：6.4A
输入电容：950pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：1.6A
输入电容：140pF@5V
功率：420mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
功率：760mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：22.2nC@10V
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：127500}
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
输入电容：950pF@24V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：235pF@10V
阈值电压：2V@250µA
功率：500mW
栅极电荷：5.9nC@5V
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8820
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：28A€116A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：5315pF@15V
栅极电荷：88nC@10V
导通电阻：2mΩ@28A，10V
功率：2.5W€78W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C55NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
输入电容：1972pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：11.9A€78A
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
栅极电荷：30nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7656AS
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
功率：2.5W€96W
输入电容：8705pF@15V
连续漏极电流：31A€49A
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
栅极电荷：133nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4001NT1G
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：33pF@5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
功率：272mW
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTJD4001NT1G
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：33pF@5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
功率：272mW
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C03NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：45.2nC@10V
连续漏极电流：30A€136A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@30A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
功率：3.1W€64W
ECCN：EAR99
输入电容：3071pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
输入电容：200pF@15V
栅极电荷：10nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：1.13A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：945pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：10.5A€16A
功率：2.3W€18W
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
栅极电荷：20nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1460pF@15V
功率：1.6W
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：4170，"09+"：9000，"10+"：2523，"11+"：28490，"14+"：4450，"15+"：1500}
规格型号(MPN)：NTMFS4846NT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@12V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：53nC@11.5V
连续漏极电流：12.7A€100A
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
功率：890mW€55.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
栅极电荷：124nC@10V
功率：2.5W
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4840NTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW€27.8W
类型：N沟道
输入电容：580pF@15V
导通电阻：24mΩ@20A，10V
栅极电荷：10.8nC@10V
连续漏极电流：4.6A€26A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
栅极电荷：5.6nC@10V
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：13A€26A
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：800mW€900mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：827pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：16159}
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
功率：780mW
栅极电荷：18.3nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：5725pF@15V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
功率：3.3W€89W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
