采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3035LWN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：399pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1580}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
