品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7588,"23+":40000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:12A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS21311C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10945,"24+":3622}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€6.5W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4822-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10945,"24+":3622}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4822-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4822-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:16.1mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:16.1mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€6.5W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:16.1mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:16.1mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:16.1mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: