采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：5725pF@15V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
功率：3.3W€89W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
功率：46W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：34A
输入电容：3020pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1505
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1505
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5725pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7566
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1505
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1505
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1505
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1505
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
