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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1220pF@15V
栅极电荷：26nC@10V
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
连续漏极电流：35A
阈值电压：3V@250µA
功率：5W€37.9W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8530
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10395pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.25mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1220pF@15V
栅极电荷：26nC@10V
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
连续漏极电流：35A
阈值电压：3V@250µA
功率：5W€37.9W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1220pF@15V
栅极电荷：26nC@10V
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
连续漏极电流：35A
阈值电压：3V@250µA
功率：5W€37.9W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8530
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10395pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.25mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
