品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8340pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS2P753Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8984
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3026LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V€1241pF@15V
连续漏极电流:8.2A€8A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC610PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC610PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8984
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4874BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4406DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: