品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@15V
连续漏极电流:51.1A€185.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.06Ω@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: