品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8340pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2260,"23+":6790}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0589NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6816
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO033N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4174DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7360,"22+":6002,"23+":12500,"MI+":4928}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO033N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4174DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8340pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6816
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0589NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4174DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: