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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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