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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4875，"18+"：557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4875，"18+"：557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4875，"18+"：557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351ZQ5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
