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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
