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    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@10V

    连续漏极电流:8.5A€7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9952TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.5A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8568CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@15V€1089pF@15V

    连续漏极电流:15A€13A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC3F31DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:6.8A€4.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5504BDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.12W€3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3028LSDX-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3028LSDX-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3028LSDX-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:641pF@15V

    连续漏极电流:5.5A€5.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:27mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7509TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.7A€2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:110mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3F31DN8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC3F31DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:6.8A€4.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7B 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7B 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8858CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:8.6A€7.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6333C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5504BDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.12W€3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4532CDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4532CDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4532CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.78W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:6A€4.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6333C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订12个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订12个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6333C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订20个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订20个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9952TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.5A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8858CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:8.6A€7.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8568CS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8568CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@15V€1089pF@15V

    连续漏极电流:15A€13A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4532CDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4532CDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4532CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.78W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:6A€4.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@10V

    连续漏极电流:8.5A€7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4167CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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