品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":22095}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS340NWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@1.6µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:880mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@880mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL316CH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:1.4A€1.5A
类型:N和P沟道互补型
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17484F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5nC@5V
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.6nC@10V
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
栅极电荷:2.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@11µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":157,"07+":186927}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS351AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:145pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN100-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3455T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: