销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11.9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11.9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11.9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9388TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11.9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: