品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19675}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19675}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19675}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19675}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2144,"23+":2869}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19675}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2144,"23+":2869}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2144,"23+":2869}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2144,"23+":2869}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2144,"23+":2869}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:173nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: