采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17308Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@10A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17308Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@10A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17304Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@15V
连续漏极电流：15A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN3LLH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN3LLH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17304Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@15V
连续漏极电流：15A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17308Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@10A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17308Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@10A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17308Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@10A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17308Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@10A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17304Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@15V
连续漏极电流：15A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17308Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@10A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17308Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@10A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17304Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@15V
连续漏极电流：15A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17308Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@10A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
