品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:1.9W
连续漏极电流:5.6A
栅极电荷:29.6nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P03FTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:140pF@25V
类型:P沟道
栅极电荷:4.8nC@10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
导通电阻:350mΩ@600mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DYTRPBF
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2320pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5103TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.1nC@10V
导通电阻:600mΩ@600mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DYTRPBF
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2320pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P03XTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
输入电容:825pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
栅极电荷:46nC@10V
导通电阻:75mΩ@2.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7416TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:20mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
输入电容:1700pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
栅极电荷:92nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DYTRPBF
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2320pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7416TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:20mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
输入电容:1700pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
栅极电荷:92nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DYTRPBF
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2320pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DYTRPBF
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2320pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:206pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:6.4nC@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:206pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:6.4nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
功率:1.5W
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:6.4A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10P3LLH6
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:3350pF@25V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:12mΩ@5A,10V
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16GTA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P-Channel
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
栅极电荷:29.6nC@10V
功率:2W
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:206pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:6.4nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
栅极电荷:10.2nC@10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7416TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:20mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
输入电容:1700pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
栅极电荷:92nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:1.9W
连续漏极电流:5.6A
栅极电荷:29.6nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
功率:1.5W
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:6.4A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:206pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
栅极电荷:6.4nC@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":1512,"10+":21953}
规格型号(MPN):MMSF7P03HDR2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:35mΩ@5.3A,10V
栅极电荷:75.8nC@6V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
输入电容:1680pF@24V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:1.9W
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":307000}
规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:960pF@15V
导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7416TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:20mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
输入电容:1700pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
栅极电荷:92nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A17E6TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
栅极电荷:15.8nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
输入电容:630pF@15V
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D9UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.5pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7606TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P-Channel
导通电阻:90mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: