采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C55NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3998，"23+"：5000，"9999"：40}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC057N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：17A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C55NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3998，"23+"：5000，"9999"：40}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC057N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：17A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C55NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS36306
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：28A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C55NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C55NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
