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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:20.5A€27.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 SSF8309S 起订3000个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 SSF8309S 起订3000个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSF8309S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:136nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21311C 起订19个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21311C 起订19个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:136nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2393DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2393DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:22.7mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21319C 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21319C 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21319C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2393DS-T1-GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2393DS-T1-GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:22.7mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21313C 起订6000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21313C 起订6000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21313C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@15V

    连续漏极电流:5.6A€7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6403 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6403 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6403

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9120pF@15V

    连续漏极电流:21A€85A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:136nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@15V

    连续漏极电流:5.6A€7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@15V

    连续漏极电流:5.6A€7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO080P03SHXUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO080P03SHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.79W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:136nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1620pF@15V

    连续漏极电流:12.7A€18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1620pF@15V

    连续漏极电流:12.7A€18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6403 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6403 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6403

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9120pF@15V

    连续漏极电流:21A€85A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21311C 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21311C 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@15V

    连续漏极电流:5.6A€7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:29.4A€108A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA483DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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