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    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3070SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3030LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:751pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C59NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1252pF@15V

    连续漏极电流:9A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C027NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C027NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.51W€25.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:16.4A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17510Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17510Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17510Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@15V

    连续漏极电流:20A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C59NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1252pF@15V

    连续漏极电流:9A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSS-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSS-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订1169个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订1169个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订679个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订679个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":75000,"16+":4550,"22+":136500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW€25.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:10.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1252pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C032NT1G 起订1620个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C032NT1G 起订1620个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":59192}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C032NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.46W€21.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:13A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C08NT1G-001 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C08NT1G-001 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:9A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C13NTAG 起订1499个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C13NTAG 起订1499个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":761402}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C13NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€21.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3070SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C027NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C027NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":33000,"19+":6000,"20+":1500,"21+":513300,"22+":270000,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.51W€25.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:16.4A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1 起订23个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1 起订23个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NBT1G 起订817个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C09NBT1G 起订817个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":18000,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C09NBT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW€25.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1252pF@15V

    连续漏极电流:9A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3070SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@15V

    连续漏极电流:13A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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