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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8816EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS030N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：640mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLUS030N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：640mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：500mW
阈值电压：1.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：4.5A
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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功率：500mW
阈值电压：1.4V@250µA
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输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
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导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：4.5A
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输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
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导通电阻：109mΩ@1A，10V
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连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
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输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：500mW
阈值电压：1.4V@250µA
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栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：500mW
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导通电阻：109mΩ@1A，10V
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栅极电荷：8nC@10V
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输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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功率：500mW
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栅极电荷：8nC@10V
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连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
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输入电容：195pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：4.5A
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导通电阻：18mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI8816EDB-T2-E1
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功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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