采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：3216pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：34A
功率：14W
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：3216pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：34A
功率：14W
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@11.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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