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    当前匹配商品:70+
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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订34个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订34个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订17500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订17500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订7个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订7个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3029LFG-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3029LFG-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3029LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订7500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订7500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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