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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8113TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2910pF@15V
连续漏极电流：17.2A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@17.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2586，"14+"：1694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4802NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8113TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2910pF@15V
连续漏极电流：17.2A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@17.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2586，"14+"：1694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4802NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8113TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2910pF@15V
连续漏极电流：17.2A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@17.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8113TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2910pF@15V
连续漏极电流：17.2A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@17.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB13XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2195pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2586，"14+"：1694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4802NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB13XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2195pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB13XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2195pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8113TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2910pF@15V
连续漏极电流：17.2A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@17.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB13XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2195pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
