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    包装方式: 卷带(TR)
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3015LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3015LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3015LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:2N-Channel

    导通电阻:15mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3401LSNQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3401LSNQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3401LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3015LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3015LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3015LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:2N-Channel

    导通电阻:15mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N-Channel

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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