品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3028LSD-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.6A€6.8A
类型:N和P沟道
功率:1.8W
输入电容:472pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:28mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
输入电容:792pF@15V
功率:1.8W
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMC3F31DN8TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:608pF@15V
类型:N和P沟道
功率:1.8W
连续漏极电流:6.8A€4.9A
导通电阻:24mΩ@7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3024LSD-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)
输入电容:608pF@15V
功率:1.8W
导通电阻:24mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN3A06DN8TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:4.9A
输入电容:796pF@25V
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
功率:1.8W
类型:P沟道
输入电容:620pF@15V
栅极电荷:10.5nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN3G32DN8TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:1.8W
输入电容:472pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:5.5A
导通电阻:28mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
功率:1.8W
导通电阻:29mΩ@3.2A,10V
连续漏极电流:5.6A
输入电容:498pF@15V
栅极电荷:11.3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
功率:1.8W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
连续漏极电流:12A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
功率:1.8W
类型:P沟道
输入电容:620pF@15V
栅极电荷:10.5nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
功率:1.8W
类型:P沟道
输入电容:620pF@15V
栅极电荷:10.5nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
功率:1.8W
导通电阻:29mΩ@3.2A,10V
连续漏极电流:5.6A
输入电容:498pF@15V
栅极电荷:11.3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LSD-13
阈值电压:2.1V@250µA
功率:1.8W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4.4A
导通电阻:65mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
输入电容:792pF@15V
功率:1.8W
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
功率:1.8W
类型:P沟道
输入电容:620pF@15V
栅极电荷:10.5nC@10V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存: